成果简介
本发明所设计的掺杂夹层型ZnO基发光器件芯片材料，由衬底、ZnO基材料缓冲层、ZnO基材料下限制层、ZnO基材料有源层、ZnO基材料上限制层、ZnO基材料盖层等部件构成，其特征是添加了掺杂夹层，掺杂夹层是含有可在ZnO基材料中起受主作用杂质的能对ZnO基材料进行p型扩散掺杂的材料，如GaAs，InP等材料构成，其制备方法可以是溅射法、PLD法、MBE法或蒸发法。
研究团队
电子科学与工程学院杜国同教授课题组。
成果成熟度
实验室成果。
应用领域及市场前景
本发明属于一种氧化锌（ZnO）基材料的发光器件结构及其制作工艺。可以克服ZnO基材料p型掺杂难的问题，提供一种利用掺杂夹层进行可控掺杂的工艺方法，工艺简单，易形成突变结，操作安全性高。
合作方式
合作开发、技术入股、技术转让、实施许可。
