成果简介
本发明涉及一种用于生长宽带隙半导体氧化锌薄膜的MOCVD设备及其工艺。本MOCVD反应室由底座法兰盘、反应室侧壁、旋转轴、磁流体轴承、上法兰盘、不锈钢丝网、加热片、衬底片托盘，杂质源气路，副气路、混气室、锌源喷枪、氧源喷枪、匀气套、射频等离子发生器等部件构成。本发明的优点是可提高ZnO薄膜生长质量和均匀性，有利于p型或高阻掺杂。
研究团队
电子科学与工程学院杜国同教授课题组。
成果成熟度
实验室成果。
应用领域及市场前景
在生长ZnO薄膜的金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备系统中添加了射频等离子发生器、锌源喷枪和氧源喷枪分别通入反应室。成果可应用于信息处理、信息传输等领域，市场前景广泛。
合作方式
合作开发、技术入股、技术转让、实施许可。
